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IXFE 44N50Q
IXFE 48N50Q
60
54
48
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
60
Fig. 8. Transconductance
42
36
30
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
24
18
12
6
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
6
12
18
24
30
36
42
48
54
60
100
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
9
8
7
6
5
V DS = 250V
I D = 24A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - nanoCoulombs
Fig . 12. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al
10000
f = 1MHz
C iss
1
Re s is t an ce
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Puls e W idth - millis ec onds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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IXFE48N50QD3 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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